 눈으로 보는 반도체 제조공정 2 |
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단결정 성장(Crystal
Growing) |
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단결정 성장은
실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정입니다. 고순도의
일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정
성장로 속에서 단결정봉으로 변형됩니다. 고진공 상태에서
섭씨 1400도 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게
조절되는 조건하에서 큰 직경을 가진 단결정봉으로 성장합니다.
이와 같은 성장과정이 끝나면, 단결정봉은 실내온도로 식혀지고
각각의 단결정봉이 여러 조건에 부합되는지를 평가하게
되고, 단결정봉은 부분별로 가공되어 정확한 직경을 갖게
됩니다. |
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절단(Shaping) |
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절단에서는
실리콘 단결정봉을 웨이퍼, 즉 얇은 슬라이스로 변형시키는
공정입니다. 단결정조직이 정확하게 정렬되도록 단결정봉을
흑연빔에 놓은 다음 고도의 절삭 기술을 사용하여 실리콘
단결정봉을 웨이퍼로 바꾸게 됩니다. 절삭작업을 거치는
동안 웨이퍼의 가장자리 부분은 매우 날카롭고 깨지기 쉽게되므로
세척과정을 거친 후 정확한 모양과 치수로 가공해 손상에
영향을 덜 받게 합니다. 그다음, 이 웨이퍼들은 조연마
과정을 거쳐 표면이 평탄하고 두께가 일정하게 되어 표면의
질이 높아집니다. |
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경면연마(Polishing) |
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웨이퍼를 평탄하고
결함이 없도록 만드는 일은 고객에게 대단히 중요합니다.
이 목적을 이루기 위해 경면연마 공정에서 여러 가지 단계를
거치게 됩니다. 뿐만 아니라, 고객의 요구를 충족시키기
위해 웨이퍼의 특질을 높이는 다른 작업들이 바로 이 부분에서
이루어집니다. 조연마 과정을 거친 웨이퍼는 식각공정을
거치면서 추가적인 표면 손상을 제거하고, 공정을 정밀하게
통제하는 완전 자동화된 장비로 가장자리 부분과 표면이
경면연마 됩니다. 그 결과 얻어지는 웨이퍼들은 극도로
평탄하고 결함이 없는 상태입니다. |
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세척과 검사 (Cleaning
& Inspection) |
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세척부문에서는
경면연마 과정을 거친 웨이퍼의 표면에 있는 오염물을 제거합니다.
이 최신의 공정에서 웨이퍼에 있는 미립자 오염물, 금속,
유기 오염물질을 씻어냅니다. 이 공정은 미립자, 금속,
유기물에 대하여 대단히 엄격한 규정을 적용하는 청정실
환경에서 이루어집니다. 마지막 세척공정을 거친 웨이퍼들은
0.1㎛ 크기의 미립자까지 검출할 수 있는 레이저 검사 장치로
검사를 받습니다. 그리고, 최종 검사가 끝나는 대로 즉시
출하 포장되어 정해진 시간 안에 고객에게 전해집니다.
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