|
TAPE에
접착된 WAFER를 고속으로 회전하는 DIABOND
BLADE를 이용하여, 개별의 반도체 CHIP으로
절단시키는 공정 |
|
SAWING한
WAFER의 각각의 CHIP들의 AU BUMP의 INNER
LEAD를 ILB TOOL로 온도, 압력, 시간을 주어
연결시키는 공정 |
|
ILB
공정이후 CHIP의 표면에 액상 수지를 이용하여
도포하여 외부환경으로 CHIP을 보호시키는기
위한 PACKAGE 형성공정 |
|
PACKAGE의
수지도포표면위에 U.V잉크로 제품의 명칭이나
제조시기등 제품을 구분, 관리하기 위해 활자로
인쇄하는 공정
|
|
COMPUTER를
이용하여 PACKAGE의 외부전극에 PROBE 바늘을
접촉시켜, 제품의 전기적 특성의 이상유무를
판별, 양품만을 선별해내는 공정 |
|
전기적
특성을 판별하여 양품의 제품을 최종적으로
이물질의 부착, 오염, 흠집 등의 외관 검사를
하는 공정 |
|
모든 공정이 끝난
제품을 정전기, 습기 등으로부터 보호시키기
위한 개별포장 및 대포장 공정 |
